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作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2023-06-26 瀏覽:40

25小時在線 158-8973同步7035 可微可電英特爾“四面楚歌”,老對頭amd卻春風得意好事不斷。在即將發(fā)布產品rx 6000系列顯卡和2020q3財報之際,10月27日晚間,amd了一個改變半導體行業(yè)格局以350億美元(約合2350億元),收購的可編程邏輯完整解決方案的供應商賽靈思(xilinx)。,此筆為今年以來半導體行業(yè)大的三筆并購之一。7月份,美國半導體公司adi以超過200億美元的價格收購半導體制造供應商美信(maximintegrated);9月份,英偉達以400億美元的價格收購英國芯片設計公司arm,成為大規(guī)模半導體。沒花一分現(xiàn)金不過,amd此筆并購還需要得到美國和海外的批準,amd預計將在2021年底完成。完成后,合并后的公司將在擁有13000名,每年研發(fā)投入將超過27億美元,芯片將采取部外包的生產策略,交由臺積電生產。值得注意的是,該筆沒有花amd公司一分現(xiàn)金,都是。根據(jù)協(xié)議,賽靈思的股東用1股賽靈思普通股換取amd公司的1.7股普通股,對賽靈思的每股估值為143美元,相較于10月26日賽靈思114.55美元的收盤價,溢價24.8 。完成后,amd的股東將擁有合并后公司約74 ,賽靈思的股東擁有合并后公司26 。另外,amd的現(xiàn)任ceo 蘇姿豐將擔任合并后新公司的ceo,賽靈思的現(xiàn)任ceo victor peng將擔任新公司的總裁,繼續(xù)負責賽靈思業(yè)務和戰(zhàn)略增長,至少兩名賽靈思現(xiàn)董事會成員將加入amd董事會。強強聯(lián)合劍指數(shù)據(jù) 領域奪食flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作,eeprom則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結構也不同,flash的電路結構較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比eeprom低,因而適合用作程序存儲器,eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比eeprom麻煩的多,所以更“人性化”的mcu設計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器,而廉價型設計往往只有flash,早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構,現(xiàn)在已基本上停產了?,F(xiàn)在的單片機,ram主要是做運行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導體存儲器,rom是read only memory的縮寫,ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù),而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的ram就是計算機的內存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類:L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT

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