東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純金屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應用的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內(nèi)外眾多知名子、太陽能企業(yè)當中，以較的價比，成功替代了國外進口產(chǎn)品，頗受用戶好評。
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東莞市鼎偉靶材有限公司
聯(lián)系人：肖先生
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公司主要經(jīng)營產(chǎn)品：
一、真空鍍膜材料
1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
金屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
金屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…
名稱
尺寸
純度
銀絲（Ag）
Φ0.2—1.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ1.0—3.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3.0—6.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
銀片（Ag）
50*50*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
100*100*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
200*250*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀棒（Ag）
Φ（10-152.4）*1000mmT18937326747(不是聯(lián)系方式)
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ25.4*1000mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ50.8*500mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ76.2*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ101.6*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ127*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ152.4*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀粒（Ag）
1-10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ2*10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*3mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*6mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*12mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀塊（Ag）
10-100mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
銀粉（Ag）
0.5-75um
99.5% 99.9% 99.95% 99.99%
標準裝為：100g 250g 500g 1000g 10kg 25kg 50kg
靶材的主要能要求:
純度
純度是靶材的主要能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著子行業(yè)的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布線寬度由0.5um減到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量
靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射元素含量都有特殊要求。
氧化鋯陶瓷
濺射靶材
黃金靶材
工業(yè)陶瓷
靶材廠家
靶材
氧化鋯陶瓷棒
機械陶瓷配件
子槍燈絲
【原創(chuàng)內(nèi)容】
需要進行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金路進行判斷。在確定陰極不存在短路后，可以進行檢漏檢查，將水通入陰極確定是否存在漏水現(xiàn)象。五、靶材預濺射靶材預濺射建議采用純氬氣進行濺射，可以起到清潔靶材表面的作需要進行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進行導致在濺射過程中熱量無法散最終會造成靶材裂或脫靶為確保足夠的導熱，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請意一定要仔細檢查和明確所使用濺射槍冷卻壁的我們現(xiàn)有需要維修的地方會書面通知戶并提供維修報價三、裝和運輸所有已貼合靶材裝在真空密封塑料袋中，并附有防潮劑。外裝一般為木箱，四周有防撞層，以保護靶材第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進行物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應氣體量加，化合物生成率加。如果反應氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調(diào)整反應氣體流量，
