針對(duì)常規(guī)鑄錠方式所生產(chǎn)的多晶硅錠位錯(cuò)密度高、晶界無規(guī)則分布和晶粒分布不均勻等問題，國(guó)內(nèi)部分鑄錠廠家借鑒了類單機(jī)的生長(zhǎng)工藝，通過在坩堝底部鋪設(shè)碎多晶硅料等方法，利用硅料半熔工藝制得了晶粒分布均勻的{gx}多晶硅錠，其中最為知名的如臺(tái)灣中美矽晶的A3+硅片，國(guó)內(nèi)的協(xié)鑫S2+和賽維的M2+硅片等。雖然利用半熔引晶生長(zhǎng)技術(shù)，可以獲得位錯(cuò)密度低、晶界結(jié)構(gòu)規(guī)則且晶粒分布均勻的{gx}多晶硅錠，但存在以下缺陷:(1)半熔引晶生長(zhǎng)工藝在熔化階段，需要通過插入高純石英棒來控制硅料的熔化高度，操作難度高；(2)半熔引晶生長(zhǎng)工藝 由于在熔化階段存在部分未熔化硅料，導(dǎo)

致硅錠底部的硅料凹凸不平整，且在側(cè)面有氣孔存在，使得硅料難以打磨回收再利用，導(dǎo)致硅料損耗較大；(3)半熔引晶生長(zhǎng)工藝由于底部有未熔化的硅料，導(dǎo)致單錠的硅料有效利用部分相較傳統(tǒng)硅錠生產(chǎn)工藝有明顯降低，且加工成本較高，不利于光伏平價(jià)上網(wǎng)目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。

冶金法生產(chǎn)太陽能多晶硅用定向凝固器及多晶硅生產(chǎn)方法

[簡(jiǎn)介]： 多晶硅的擋板晶圓60置放在支撐塔20的非生產(chǎn)溝槽中，用于熱處理單晶硅晶圓。多晶硅較佳為隨機(jī)定向多晶硅ROPSi，優(yōu)選通過使用隨機(jī)定向晶種例如CVD成長(zhǎng)的硅而以Czochralski方法來成長(zhǎng)。熱爐管10的全硅熱區(qū)可以包括...

擋板晶圓及其所用的隨機(jī)定向多晶硅

[簡(jiǎn)介]： 本發(fā)明屬于多晶硅提純領(lǐng)域，具體涉及一種多晶硅定向凝固裝置，包括爐體，爐體內(nèi)放置有石英坩堝，石英坩堝外壁由內(nèi)向外依次環(huán)繞設(shè)置有石墨發(fā)熱體、保溫套筒和感應(yīng)線圈，石英坩堝底部設(shè)置有與爐體底部通連的拉錠機(jī)構(gòu)，保溫套筒...

因而需要探索一種新的多晶硅錠的制備方法，以解決上述存在的技術(shù)問題。

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種{gx}多晶硅錠的制備方法，所述方法可制得轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅錠，制得的多晶硅錠晶粒細(xì)小且分布均勻，對(duì)應(yīng)晶磚少子壽命高且低少子壽命雜質(zhì)點(diǎn)少，無明顯枝晶和孿晶產(chǎn)生。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的。

一種{gx}多晶硅錠的制備方法，所述方法步驟如下:(I)將硅溶膠與高純石英砂料漿按5: 5 - 7: 3的質(zhì)量比混合均勻形成混合漿料，將混合漿料刷涂在多晶硅鑄錠爐的坩堝的內(nèi)底部形成粘結(jié)層；(2)再將形核源刷涂或?yàn)⑼吭谒稣辰Y(jié)層上形成形核源層，所述形核源的粒度為30 - 100目，形核源層的厚度為I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;

(4)再在形核源層的上層及坩堝的內(nèi)側(cè)壁刷涂氮化硅涂層；(5)然后再在位于形核源層上方的氮化硅涂層上鋪設(shè)一層形核源保護(hù)層，以防止形核源在裝料過程中遭到破壞，所述形核源保護(hù)層由完整的片狀廢硅料鋪設(shè)而成，所述保護(hù)層的厚度為I一 20_ ;

(6)向坩堝內(nèi)裝載固體硅料，關(guān)閉多晶硅鑄錠爐的保溫罩，加熱坩堝至1530 - 1560°C直至固體硅料wq熔化成硅液；(7)

通過調(diào)整多晶硅鑄錠爐的加熱功率來控制坩堝內(nèi)部的溫度梯度，使得坩堝內(nèi)部形成由底部向上的垂直溫度梯度，打開保溫罩，將保溫罩升高5 — 8cm,將多晶鑄錠的頂部中央?yún)^(qū)域溫度(TCl)降低至1420 - 1432°C，使得坩堝底部溫度降低，坩堝底部硅液處于過冷狀態(tài)，利用形核源層形核結(jié)晶從而得到{gx}多晶硅錠，所述形核結(jié)晶過程中過冷度控制在-10~-35K。