KRI 考夫曼 KDC 40
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼 KDC 40: 小型低成本直流柵極. KDC 40 是 3cm 考夫曼型升級款. 具有更大的柵極, 更堅(jiān)固, 可以配置自對準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮?dú)? 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼 KDC 40 技術(shù)參數(shù)
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型號
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KDC 40
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供電
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DC magnetic confinement
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- 陰極燈絲
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1
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- 陽極電壓
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0-100V DC
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電子束
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OptiBeam?
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- 柵極
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專用, 自對準(zhǔn)
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-柵極直徑
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4 cm
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中和器
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燈絲
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電源控制
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KSC 1202
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配置
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-
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- 陰極中和器
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Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
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- 架構(gòu)
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移動(dòng)或快速法蘭
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- 高度
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6.75'
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- 直徑
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3.5'
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- 離子束
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集中
平行
散設(shè)
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-加工材料
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金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體
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-工藝氣體
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惰性
活性
混合
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-安裝距離
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6-18”
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- 自動(dòng)控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
