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保險絲和保險絲夾的具體供電路的被保護(hù)電路的相同。然而，過壓保護(hù)是參考的保險絲和保險絲夾供應(yīng)所有的信號輸入端子的電壓，電源電壓的改為套房下保護(hù)電路的需求。 電壓范圍可能范圍從4.5V的電源水平{jd1}{zd0}額定值的SP720。下級電壓是可能的，但與一些退化的開關(guān)名義上是2ns的速度。此外，輸入電容這是名義上3pF的，可以預(yù)計將增加。
有沒有斜面靜態(tài)電流比反向其他二極管結(jié)電流名義上在低于50nA的工作溫度。在耐溫情況下，保險絲夾取決于銅片的厚度，這可能是低幾毫微安。保險絲夾的厚度可以預(yù)期溫度接近環(huán)境將它應(yīng)用到使用的物理位置。保護(hù)級別的對于給定的電壓或功率水平，有一個需要相適應(yīng)的保護(hù)。對于SP720，以打擊在過電壓保護(hù)電路設(shè)計峰值電流的范圍，將大大改善生存平均單片硅電路用于輸入預(yù)期小信號和數(shù)字處理應(yīng)用。在自身內(nèi)部，應(yīng)該預(yù)料到生存的峰值電流和電壓浪涌在數(shù)據(jù)內(nèi)的{zg}收視率負(fù)債表。對于電壓，靜態(tài)直流和工期短的瞬態(tài)能力本質(zhì)上是相同的。過程能力一般優(yōu)于45V，允許的{zd0}連續(xù)直流供應(yīng)評級保守的額定功率為35V。
目前任何一個可控硅部分能力的額定電流為2A的峰值，但芯片上的瞬態(tài)加熱效果的持續(xù)時間有限。，可控硅的阻力，當(dāng)它鎖存，約0.96 和SCR鎖存閾值有1.08V的偏移。對于EOS，峰值功耗可計算公式如下而2A通過3000V是，這不是一個防靜電電壓非常高的水平，它代表EOS的能力，提供了6W的持續(xù)時間功耗是有限的幾毫秒。耗散16腳DIP和16引腳SOIC封裝通常少超過1W穩(wěn)態(tài)條件。熱容量該芯片將允許多次排放水平高于本，因為靜電放電通常有一個持續(xù)時間要短得多。
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